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  • 全球存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表示,与232层产品相比,单位容量提升了41%,延迟降低了13%,性能提升了12%,功耗降低了10%,并且生产效率也提升了59%,算下来成本降了至少50%。而三星也表示,自己的300+层的4D NAND闪存,即将推出,而下一代产品将超过400层同样的
  • 在电子设备中,芯片是关键组成部分,而芯片的封装对于其性能和可靠性有着至关重要的作用。颖特新将详细介绍七种常见的芯片封装类型:DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、LGA和PGA,包括其定义、特点、优势和适用领域。一、DIP(双列直插封装)DIP是一种双列直插式封装技术,其特点在于芯片两侧有两个并排的引脚。这种封装
  • SSD固态硬盘的QLC、SLC、MLC和TLC是四种不同的存储技术,它们在存储单元结构、读写速度、寿命和成本等方面存在明显的差异。下面颖特新将对这四种技术进行详细介绍。一、QLC(Quad Level Cell)QLC技术是将四个存储单元存储在一个晶体管中,每个存储单元可以存储两位(即2^2=4),因此QLC的存储密度比其他技术更
  • 三星MLC固态硬盘是一款高性能的存储设备,采用Multi-Level Cell(MLC)技术,能够在同一个存储单元中存储更多的数据,提高了存储密度。与传统的机械硬盘相比,三星MLC固态硬盘具有读写速度快、能耗低、存储容量大等优点。三星MLC固态硬盘拥有较高的读写速度,读取速度可达500MB/s以上,写入速度也可达400MB/s以
  • 华邦闪存25Q256是一款容量为256Mb的串行闪存芯片,其组织单位是页,每页大小为256个字节。该芯片具有16个页,每页大小为4KB的扇区,以及128个扇区组成的32KB块,和64KB的组,可以整片擦除。其地址范围从0x0000000至0x7FFFFF,共有8192个扇区和512个块。该芯片采用标准的SPI接口,支持2/4线SPI模式,SPI时钟频率
  • 华邦的闪存芯片在安全性方面表现出色。华邦的安全闪存芯片具有外接式存储器,创新性地进行数据和代码的保护,提供硬件层级的安全保障,并可支持加密登记和硬件层级的加密算法。同时,华邦的生产线也经过共同准则认证,可确保为各种连网系统提供安全芯片生产和软件设计与金钥配置。此外,华邦的闪存芯片还有其他
  • SSD(Solid State Drive)是一种使用闪存存储芯片作为存储介质的固态硬盘。与传统的机械硬盘(HDD)相比,SSD没有机械部件,而是使用闪存芯片来存储数据。SSD的工作原理是通过电子存储芯片来读取和写入数据。闪存芯片使用非易失性存储技术,即数据在断电后仍然保持不变。这使得SSD具有快速的数据访问速度、低延
  • 根据Flash元件类型,主要可以分为三种:NOR Flash、NAND Flash和EEPROM。下面是颖特新对这三种Flash元件类型的简要介绍及其特点。1.NOR Flash: NOR Flash是一种非易失性存储器,它的特点是具有随机访问性能,可以像传统的RAM一样随机读取和写入数据。NOR Flash适用于需要快速访问速度和较小容量的应用,如嵌入
  • 6脚电源芯片通常用于一些低功耗、小型化的电子设备中,用于提供稳定的电源管理和保护功能。以下是一些常见的应用场景:1.便携设备:如智能手机、平板电脑、便携式音频播放器等。这些设备通常需要一个稳定的电源供应,以保证正常运行和延长电池寿命。2.消费类电子产品:如数码相机、手持游戏机、电子书阅读器等。
  • 内存条的时序参数是衡量内存模块性能的重要指标之一。其中,C14、C16和C18是常见的时序参数,表示内存模块的延迟和速度。颖特新将介绍这些时序参数的含义和影响,如果需要购买内存跳或者二eMCP等大容量存储产品,也可以联系我们。时序参数是指内存模块在处理数据时所需的时间。它们通常以CL(CAS Latency)的形
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