东芝超车三星，拟于 Q3 生产 64 层 NAND Flash
星电子的3DNAND Flash霸主宝座出现危机？三星是第一家开发出3DNAND Flash业者，技术遥遥领先，不过据传日厂东芝（Toshiba）砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。
BusinessKorea 20日报导，2013年三星电子率先制造3D NAND，东芝直到今年春天才加入生产行列，不过却以光速追上对手，计划今年第三季生产全球首见的64层3D NAND Flash，比三星快了一季。
64层3D NAND Flash极为重要，业界认为64层3D NAND Flash的出现，代表平面NAND Flash时代划上句点。3D NAND Flash采垂直堆叠，可提高内存容量和速度，表现优于平面NAND Flash。
尽管东芝来势汹汹，半导体专家指出，东芝和三星仍有技术差距，两家公司最大不同在于控制闸（controlgate）技术，三星采用TANOS、东芝使用SONOS。据称东芝的技术便于多层堆叠，但是缺点在于制程较为复杂、生产力较低。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
