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SDRAM规格、引脚介绍

SDRAM引脚 DDR记忆芯片规格 作者: 来源: 发布时间:2019-07-22 10:24:56   浏览:37

芯片和模块


记忆芯片

DDR-200:DDR-SDRAM 记忆芯片在 100MHz 下运行

DDR-266:DDR-SDRAM 记忆芯片在 133MHz 下运行

DDR-333:DDR-SDRAM 记忆芯片在 166MHz 下运行

DDR-400:DDR-SDRAM 记忆芯片在 200MHz 下运行(JEDEC制定的DDR最高规格)

DDR-500:DDR-SDRAM 记忆芯片在 250MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)

DDR-600:DDR-SDRAM 记忆芯片在 300MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)

DDR-700:DDR-SDRAM 记忆芯片在 350MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)

芯片模块

PC-1600内存模块指工作在 100MHz 下的DDR-200内存芯片,其拥有 1.600GB/s 的带宽

PC-2100内存模块指工作在 133MHz 下的DDR-266内存芯片,其拥有 2.133GB/s 的带宽

PC-2700内存模块指工作在 166MHz 下的DDR-333内存芯片,其拥有 2.667GB/s 的带宽

PC-3200内存模块指工作在 200MHz 下的DDR-400内存芯片,其拥有 3.200GB/s 的带宽

引脚介绍

SDRAM在读写数据时重点注意以下信号:

(1)CLK:时钟信号,为输入信号。SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。

(2)CKE:时钟使能信号,为输入信号,高电平有效。CKE信号的用途有两个:一、关闭时钟以进入省电模式;二、进入自刷新状态。CKE无效时,SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。

(3)CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。只有当片选信号有效后,SDRAM才能识别控制器发送来的命令。设计时注意上拉。

(4)RAS#:行地址选通信号,为输入信号,低电平有效。

(5)CAS#:列地址选通信号,为输入信号,低电平有效。

(6)WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。

当然还包括bank[…]地址信号,这个需要根据不同的型号来确定,同样为输入信号;地址信号A[…],为输入信号;数据信号DQ[…],为输入/输出双向信号;数据掩码信号DQM,为输入输出双向信号,方向与数据流方向一致,高电平有效。当其有效时,数据总线上出现的对应数据字节被接收端屏蔽。

当今主流

DDR3内存。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍),也是现时流行的内存产品。

DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快,使用了SSTL 15的I/O接口,运作I/O电压是1.5V,采用CSP、FBGA封装方式包装,除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外,另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。

CWD是作为写入延迟之用,Reset提供了超省电功能的命令,可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式,ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能,新增这个线路脚位提供了ODCE(On Die Calibration Engline)用来校准ODT(On Die Termination)内部中断电阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可编程化温度控制内存时脉功能,SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化,可以说在内存内,就做了电源管理的功能,同时让内存颗粒的稳定度也大为提升,确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况,同时DDR3 SDRAM还加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

编辑:simon  最后修改时间:2019-07-22