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封装厂当心,传三星新工法抢回苹果Nand Flash订单

关键字:NAND Flash封装 三星存储 作者:admin 来源:不详 发布时间:2017-09-05  浏览:6

NAND Flash的“电磁波屏蔽”(EMI shielding)封装技术

台湾封装厂小心!据传三星电子和SK海力士(SK Hynix)都在研发NAND Flash的“电磁波屏蔽”(EMI shielding)封装技术,三星更抢回iPhone的NAND Flash订单。

韩媒etnews 19日报导,三星曾是iPhone的NAND Flash供应商,两者合约在2012年告终,原因是三星不愿在NAND Flash封装过程中加入电磁波屏蔽。如今内存市况恶化,三星平泽(Pyeongtaek)厂又将在2017年量产3D NAND Flash,外传三星担心NAND供过于求,因此决定重回苹果NAND Flash供应链。

报导称,电磁波屏蔽封装是在芯片上覆盖超薄金属,由于三星NAND Flash采用球型阵列封装(Ball Grid Array,BGA),传统的溅镀(Sputtering)工法不易完全覆盖球形底座。三星因而研发出涂布(Spray)新工法,解决此一困扰,而且成本更低,估计2017年开始供货。

业界人士说,BGA比闸型阵列封装(Land Grid Array,LGA)更进步,芯片会更为轻薄。当前SK海力士找日月光进行苹果NAND Flash封装,外传SK海力士也在研发类似三星的工法。

据称今年问世的iPhone 7,多数芯片都将有电磁波屏蔽功能,可避免芯片相互干扰,电路板能更密集排列,节省空间,好扩充电池容量。

编辑:admin  最后修改时间:2019-09-04

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