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什么是MRAM高速内存?它会是DRAM内存接班人吗?

DRAM存储器 MRAM内存 磁阻内存 作者: 来源: 发布时间:2019-07-09 07:55:06   浏览:25

RAM存储器自诞生来,已发展成多个版本,有SRAM、pSRAM、DRAM等,下一个是什么呢?颖特新工程师为你介绍什么是MRAM高速内存。

人们一直以来都觉得电脑开机之后看着Windows进度条一次次划过,然后点击登录、打开桌面这样的过程是理所当然?之所以每次开机时操作系统都必须重新做一次内存初始化的操作,是因为现在的电脑普遍都是使用动态随机存取技术(DRAM)的内存, SDRAM、DDR、DDR2与DDR3都属于这种内存。使用了DRAM技术的内存的一个关键特点就是它们属于挥发性内存(volatile memory),意思就是一旦断电,它里面的数据就会丢失。换言之就是DRAM内存里面的数据必须得依靠不断供电来刷新才得以维持的。

因此,操作系统在每次开机的时候,必须要把一系列系统本身要使用的数据再次写入内存,这就是在开机等待时间里操作系统完成的工作。对于DRAM内存来说,如果要取消这个过程,供内存刷新的电力是不能中断的。所谓的睡眠(sleep)模式,实际上计算机还在继续耗电,只不过是比正常运行时用电量少一些而已。

东芝集团近日在美国佛罗里达州的坦帕市(Tampa)发布了一种新型内存——磁阻内存(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM),它的出现将使得这种情况成为过去。

磁阻内存和DRAM内存的原理完全不同。DRAM内存用以表示"0"和"1"的方式是判断电容器中的电量多少来进行的,它不但需要保持通电状态,还需要周期性地给电容充电才能保证内容不丢。而磁阻内存的存储原理则是完全不使用电容,它采用两块纳米级铁磁体,在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向,下面的导体的磁致电阻(magnetoresistance)就会发生变化。电阻一旦变大,通过它的电流就会变小,反之亦然。

因此,只需用一个三极管来判断加电时的电流数值就能够判断铁磁体磁场方向的两种不同状态来区分"0"和"1"了。由于铁磁体的磁性几乎是永远不消失的,因此磁阻内存几乎可以无限次地重写。而铁磁体的磁性也不会由于掉电而消失,所以它并不像一般的内存一样具有挥发性,而是能够在掉电以后继续保持其内容的。

编辑:admin  最后修改时间:2019-07-09