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TC58BVG2S0HTA00是一个单独的3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字[详细]
TC58BVG2S0HTAI 0是一个3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间[详细]
TC58 BYG0S 3HBAI4 是一个单一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ，组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：[详细]
TC58BYG0S3HBAI6是一个1.8V 1 Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BYG0[详细]
TC58BYG1S3HBAI4是一个1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：2112字节×64页)。T[详细]
TC58BYG1S3HBAI6是一个1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BYG1S3HBAI[详细]
TC58BYG2S0HBAI4是一个1.8V4Gbit(4,429,185,024位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或2048块。TC58BYG2S0HBAI4 是一个串行类型的存储器设备，它利用 I/O引脚进行地址和数据输入/ 输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录[详细]
TC58BYG2S0HBAI6是一个1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]
TC58CVG0S3HxAIx是支持SPI接口的嵌入式应用程序的串行接口NANDFlash。组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有2112字节数据缓冲器，其允许程序和读取数据以2112字节增量在缓冲器和存储器单元阵列之间传送。擦除操作是在一个单一块单元中实现的(128 K字节、4字节：2112字节×64页)。该装置具有连续读页操[详细]
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