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TC58NVG1S3HTA00是一个单一的3.3V 2Gbit(2，281，701，376位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 128)字节×64页×2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和内存单元数组之间传输。擦除操作在单个块单元(128KB+8KB：2176字节/64页)中实[详细]
TC58NVG1S3HTAI0是一个单一的3.3V 2Gbit(2，281，701，376位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 128)字节×64页×2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和内存单元数组之间传输。擦除操作在单个块单元(128KB+8KB：2176字节/64页)中实[详细]
TC58NVG2S0HBAI 4是一个单一的3.3V 4Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：[详细]
TC58NVG2S0HBa6是一个3.3V4Gbit(4,563,402,752位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或2048块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节[详细]
TC58NVG2S0HTA00是一个单一的3.3V 4Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]
TC58NVG2S0HTA0是一个3.3V4Gbit(4,563,402,752位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或2048块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节[详细]
TC58NYG0S3HBAI4 是一个单一的 1.8V1 Gbit(1,140 ，850 ，688 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，128)字节× 64 页× 1024 块。该设备具有2176字节的静态寄存器，其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128[详细]
TC58NYG0S3HBA6是一个1.8V1Gbit(1,140,850,688位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+128)字节或64页或1024个块。该设备具有2176字节的静态寄存器，其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节，8千字节：2176字节×[详细]
TC58NYG1S3HBAI4 是一个单一的 1.8V 2Gbit(2,281 ，701 ，376 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，128)字节× 64 页× 2048 块。该装置具有两个2176字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以2176字节增量传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+8[详细]
TC58NYG1S3HBAI6是一个1.8V2Gbit(2,281,701,376位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+128)字节或64页或2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和内存单元数组之间传输。擦除操作在单个块单元(128KB+8KB：2176字节/64页)中实现。TC58NYG[详细]
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