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TC58BVG0S3HBAI4是一个单一的3.3V1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：[详细]
TC58BVG0S3HBAI6 是一个单一的 3.3V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：211[详细]
TC58BVG0S3HTA00是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC5[详细]
TC58BVG0S3HTAI0是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC5[详细]
TC58BVG1S3HBA4是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BVG1S3HBa[详细]
TC58 BVG1S 3HBAI6 是单个 3.3V 2Gbit（ 2,214 ，592 ，512 位）NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ，组织为（ 2048 + 64 ）字节× 64 页× 2048 块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112[详细]
TC58BVG1S3HTA00是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BVG1S3HTA00是[详细]
TC58BVG1S3HTAI0是一个单独的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×2048块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：[详细]
TC58BVG2S0HBa4是一个3.3V4Gbit(4,429,185,024位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]
TC58BVG2S0HBAI6是一个3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。TC58BVG2S0HBai6是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据[详细]
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