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电子元器件识别与检测技术分析

作者:admin 来源:不详 发布时间:2017-09-05 21:56:46   浏览:14

电子元器件所包括的产品居多,为了能够更清晰的分辨电子元器件,因此会有一定的识别方法。同时,在使用中难免会出现一些问题,一旦设备出现问题,就需要通过相关的技术来进行检测。接下来就来针对电子元器件识别与检测技术进行详细的分析。

电子元器件识别

电阻——电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R15表示编号为15的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。

1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。换算方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧

电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。

a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:

472表示47×102Ω(即4.7K);104则表示100K

b、色环标注法使用最多,现举例如下:

四色环电阻五色环电阻(精密电阻)

电容——电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C25表示编号为25的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。

检测技术解析

开展电子元器件失效分析,需要采用一些先进的分析测试技术和仪器。首先可以通过光学显微镜分析技术:立体显微镜放大倍数小,但景深大;金相显微镜放大倍数大,从几十倍到一千多倍,但景深小。把这两种显微镜结合使用,可观测到器件的外观,以及失效部位的表面形状、分布、尺寸、组织、结构和应力等。

其次则可以采用红外分析技术。红外显微镜的结构和金相显微镜相似。但它采用的是近红外(波长为01 75~ 3微米)光源,并用红外变像管成像。由于锗、硅等半导体材料及薄金属层对红外辐射是透明的。利用它,不剖切器件的芯片也能观察芯片内部的缺陷及焊接情况等。它还特别适于作塑料封装半导体器件的失效分析。

电子元器件识别与检测技术分析就介绍到这里。其相关的识别方法以及更具体的标识不妨可以到颖特新网的专版文章进行了解。  

编辑:admin  最后修改时间:2017-12-18