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中国存储三大势力成形,开产能、急建厂力拼 2018 量产

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 20:16:29   浏览:5

存储产业在历经价格血战成了三强鼎立的寡占市场,中国在市场、国安考虑力求在存储有所突围,原先的紫光、武汉新芯从各自进击到合体发展,另外两组势力在联电、中芯老将辅佐下也积极展开布局,中国存储铁三角逐步成形。

紫光集团先前欲并购美光、与SK海力士谈授权最后都无疾而终,最终与获得中国存储统筹资源的武汉新芯合并,进一步成立长江存储公司,由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长,大基金总经理丁文武出任副董事长,并由原武汉新芯CEO杨士宁出任总经理负责NANDFlash擘划,转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储营运长重起炉灶筹备DRAM建厂。

武汉新芯存储基地已在2016年3月底动土,根据科技新报先前取得的消息,新的存储基地将分三期,总规划面积约100万平方米,一期于8月开工、预计2018年建设完成,月产能约20万片,而官方目标到2020年基地总产能达30万片/月、2030年来到100万片/月。第一步已与NOR内存厂商飞索半导体(Spansion)签订技术授权,从3D NAND Flash下手,并预计2017有能力推出32层堆叠、2018年推出48层堆叠3D NAND Flash。在DRAM进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目,也有消息指出,高启全正招兵买马透过人脉挖角中国台湾地区DRAM相关人才,或为建厂做准备。

在DRAM进展有较大突破的为福建后起势力,福建省政府在5月宣布,所投资的晋华集成与联电签订技术合作协定,由联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技术,生产利基型DRAM,团队由瑞晶、美光台湾前总经理、现任联电资深副总经理陈正坤领军,在7月12寸厂建厂奠基的同时,已在中国台湾地区的南科建立小型试产线,据了解初期将导入32纳米,但最终目标其实放在25纳米以下制程,以求与其他DRAM大厂不致有太大落差,初步产能规划每月6万片,估计2017年底完成技术开发,2018年9月试产,并在2019年以前将产线移转至福建新厂。

而合肥欲起的DRAM势力在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后,由中国本土NORFlash厂商兆易创新(GigaDevice)与中芯国际前CEO王宁国所主导,先前市场传出兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国DRAM厂ISSI合并,成为长江存储后,另一家DRAM/NAND Flash发展兼具的内存厂商。然目前还未传出团队有相关建厂消息。

除了三厂竞逐成为焦点,团队主导人也颇有渊源,主导合肥团队的王宁国与长江存储总经理杨士宁同样出身中芯国际,先前两派人马在中芯斗争多年甚至跃上新闻版面,如今再度碰头;而现任长江存储营运长的高启全与联电资深副总经理陈正坤,相继待过华亚科、美光体系,中国内存争战熟人相争就看谁能带领团队率先出线。


编辑:admin  最后修改时间:2018-01-05