氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,和传统材料Si相比,具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势,发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长,应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此,自上世纪90年代起,一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究,并致力于实现[详细]
未来已来,氮化镓的社会经济价值加速到来。本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合,隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护,完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值,让工程师放心无忧采用氮化镓。普通消[详细]
从“砖头”手机到笨重的电视机,电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间,而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸规格下,硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络,以及未来的机器人[详细]
基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效,帮助工程师设计出更紧凑的电源,适合各种消费、工业和汽车应用意法半导体PowerGaN系列第一款产品现已投产;很快还将推出其他的不同封装和规格的产品意法半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合,能[详细]
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