意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术,采用SO-36W 宽体封装,能够耐受6kV瞬变电压。此外,±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工[详细]
中国,2018年11月15日- STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品,集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道,可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。STGAP2DM内部额定隔离电压高达1700V,有助于增强安全性,简化系统设计,节省物料清单成本和电路板空间。两个26V轨到轨输出具[详细]

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