IGBT知识_颖特新科技

内容列表

2025-12IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理[详细]

2020-08场效应管三极管 IGBT知识概括及三者如何使用分析

（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。 IGBT是电压控制电流，可是说是集成块[详细]

共 2 条记录 1/1 页上一页 1下一页

最热知识

最新知识

2025-12IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

2020-08场效应管三极管 IGBT知识概括及三者如何使用分析

最热知识

最新知识

2025-12IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

2020-08场效应管 三极管 IGBT知识概括及三者如何使用分析

2020-08场效应管三极管 IGBT知识概括及三者如何使用分析