安森美碳化硅MOSFET

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2024-07安森美加速碳化硅MOSFE创新，助力推进电气化转型

新闻要点最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗与安森美 (onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳[详细]

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