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半导体制造商谏早电子开发出异质晶体管“RTEXXXXM”。本系列为内装2元件型, 除了可作出小型化, 使用方法也可以有电压检测, 保护用等等多种用途, 也齐集丰富的产品种类。本产品无需使用IC即可构成电池电压监视电路，是一款有助于降低成本的产品。 各系列产品特性(* 红字为支持车载的产品。)内部接线图应用【[详细]
近年来，随着中国制造业的快速发展，国产传感器在技术和品质方面已经逐渐赶上进口传感器。但是在选择传感器时，许多人仍然存在进口传感器比国产传感器更好的偏见。那么，进口传感器和国产传感器究竟有哪些区别？哪个更好呢？下面我们来深入分析一下这个问题。首先，从技术方面看，进口传感器在某些领域的技术水[详细]
在由AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）期间，旋智科技重磅发布创新性的产品：应用于汽车直流无刷（有刷）电机的内置N-FET预驱微控制器SPD1179。旋智科技销售副总经理丁文出席该发布会。据介绍，SPD1179是国产首颗满足功能安全ASIL-B等级的车规级高度集成的片上系统（SoC）微控制器，为车载[详细]
MCU的缺货，造成了制造业的疼苦，也催生了深圳的MCU厂商大发展，深圳比较有名的芯片公司主要有哪些呢？在这里，笔者主要介绍的是MCU的设计产商。23、深圳市芯海科技有限公司成立时间：2003年芯海科技是一家专业从事混合信号集成电路设计，并被深圳市政府认定为第一批自主创新龙头企业和15家重点集成电路设计企业[详细]
场效应管的优点-场效应管与双极型晶体管、三极管比较各有何优缺点 场效应管 场效应管的优点详解，场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单场极型晶体管。场效应管种类 场效应管分为两种类别：结型场效应管（J[详细]
SDR：Single Data Rate, 单倍速率DDR：Dual Data Rate， 双倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM：Static RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步状态随机[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
PSRAM是一种伪静态SRAM存储器，它具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，接口简单；PSRAM的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类S[详细]
只比较使用过的外部设备,如有不正确的地方请指正!谢谢USART: STM32 的USART 没有FIFO , NUC 的有64\16 BYTE FIFO STM32 的USART 波特可以小数 在频率高的时候可以满足要求. NUC 的做不到!SPI : STM32 的SPI 没有FIFO , NUC 的有 2 字 FIFO I2C : STM32 支持 400K , NUC 可以支持 1M[详细]
今天呢，犯了一个很严重的错误，我不知道这会产生什么样的影响，但我知道，如果我以后再没有具体的了解，仔细认真地观察，认证，只会滑到无底的深渊。做技术来不得半点虚假，切记一知半解，凡事都要弄得清楚明白，认识东西是有顺序的，从简单到困难，从外观，到内部，一个东西起什么样的作用，为什么会起这样的[详细]
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