你好!欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 内容聚合 >> 场效晶体管
内容列表

2018-04中兴事件延烧: 台MOSFET厂或乐翻

美商务部对大陆中兴通讯(ZTE)祭出禁止出口特许令,中兴通讯营运主力的电信通讯设备及3C产品中,过去集中向美IDM厂采购的金氧半场效晶体管(MOSFET)关键元件,未来势必会全面转单给两岸供应商。业界指出,不论双方是否和解,包括中兴、华为、联想等陆厂,将会扩大对台MOSFET厂释单,法人点名大中、杰力、尼克[详细]


2018-01鳍式场效晶体管集成电路设计与测试

鳍式场效晶体管的出现对集成电路物理设计及可测性设计流程具有重大影响。鳍式场效晶体管的引进意味着在集成电路设计制程中互补金属氧化物(CMOS)晶体管必须被建模成三维(3D)的器件,这就包含了各种复杂性和不确定性。加州大学伯克利分校器件组的BSIM集团开发出了一个模[详细]


共 2 条记录 1/1 页 上一页 1下一页
联系方式

0755-82591179

邮箱:ivy@yingtexin.net

地址:深圳市南山区桃源街道平山社区平山一路2号南山云谷创业园二期11栋410-411

Copyright © 2014-2026 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved.  粤ICP备14043402号-4