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平面MOS（Planar MOS）和超结MOS（Super Junction MOS）是两种不同的MOS结构1. 结构区别：平面MOS是一种传统的MOS结构，其特点是沟道和控制栅极在同一平面上，通过控制栅极电压来调节沟道电阻，实现电流的控制。超结MOS则是一种改进的MOS结构，其特点是在沟道区域加入了周期性的掺杂结构，形成P-N结，从而减小了[详细]
深圳市颖特新与瑶芯微电子科技（上海）有限公司联手合作，颖特新代理瑶芯微主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为： 消费类和工业类以及车[详细]
中国，2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6 MOSFET利用[详细]
中国，2018年12月14日 - 意法半导体推出MDmesh系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16 nC的栅极电荷量（[详细]
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