氮化镓功率器_颖特新科技

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2023-07罗姆氮化镓SiC、GaN迎来爆发式增长

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]

2023-03碳化硅后的下一个热点？英飞凌加快绘制氮化镓路线图

第三代半导体来到十字路口的当下，车用芯片龙头厂商英飞凌踩了一脚油门。当特斯拉在投资日宣布下一代驱动单元将减少75%碳化硅（SiC）的消息后，天岳先进、东尼电子、晶盛机电、乾照光电等多只概念股应声“跳水”。不过，当特斯拉“动动嘴皮子”带崩板块，汽车芯片大厂仍在用真金白银加码。就在特斯拉召开投资者[详细]

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