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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出全新 “MCU Motor Studio Ver.3.0”和“电机参数调整工具”，使得电机控制功能得到改善。全新版本的电机控制软件开发套件“MCU Motor Studio Ver.3.0”新增位置估算控制技术，用于磁场定向控制（FOC），与此同时，“Motor Tuning Studio Ver.1.0[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持[详细]
最新消息，东芝公司表示，将于11月22日召开临时股东大会，批准其股票合并，该公司将于12 月20日从东京证券交易所退市！据此前消息，9月21日，日本东芝公司宣布，以日本国内基金“日本产业合作伙伴”（JIP）为主的财团，已完成对东芝的要约收购，为东芝私有化退市扫清障碍。交易完成后，上市了74年的东芝最快将于[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 &nbs[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。通过对栅极设计[详细]
TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET颖特新科技讯：东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。新产品具体包括：用于24V电源线的“[详细]
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