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2023-07隔离芯片和非隔离芯片的区别是什么 非隔离电源芯片有哪些类型

隔离芯片和非隔离芯片是在电源管理领域中常见的两种类型的芯片,它们在设计和功能上有一些明显的区别。1.安全性:隔离芯片具有电气隔离功能,能够在输入和输出之间提供物理隔离,从而有效地防止电源输入端和输出端之间的电流、电压等干扰相互传递。这种隔离能够提高系统的安全性,减少电源噪声对其他电路的干扰[详细]


2022-06Flex Power Modules数字40A PoL BMR473型号- 高效且配置简便

Flex Power Modules宣布推出使用节省空间的单面直插封装(SIP)或水平安装的BMR473数字负载点(PoL)转换器。该产品的额定连续电流为40 A,最多可4单元并联达到160 A,具有同步和相位扩展功能以将电磁干扰(EMI)降至最低。拥有出色的散热性能、定制的电感器设计和高达96.1%的效率水平,允许在自然对流条件下最[详细]


2022-06川土微电子|国产隔离电源数字隔离芯片CA-IS36XX

产品特性信号传输速率 信号传输速率 信号传输速率 :DC ~ 150 Mbps默认输出:高电平和低可选 默认输出:高电平和低可选 默认输出:高电平和低可选 默认输出:高电平和低可选 默认输出:高电平和低可选 默认输出:高电平和低可选精确时序 精确时序 (典型 5 V电源)10 ns传播延迟 传播延迟1[详细]


2022-06川土微电子|全系列集成隔离电源的隔离器芯片

这是国内首款集成隔离电源的隔离器芯片系列,能够在一颗芯片里同时完成信号隔离+电源隔离+RS-485/CAN信号收发;具备SOP16-W, POD=10.3mm x 7.5mm x 2.5mm的小尺寸封装,完全突破行业现有局限;全集成微型片上变压器、高达53%的转换效率、高隔离耐压5[详细]


2022-06川土微电子隔离电源的辐射抑制设计参考(四)

对比实验 1. 初级VCC对GNDA以及次级VISO对GNDB的PCB拼接电容各为约500pF(参考图 2 和图 10)。 分立器件只有 10μF 储能电容, 无去耦电容, 辐射测试结果如下图 16; 2. 初级VCC对GNDA以及次级VISO对GNDB的PCB拼接电容各为约400pF+400pF(参考图 2 和图 10)。分立器件只有 10μF 储能电容, 无去耦电容, 辐射测试[详细]


2022-06川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考(三)

构建边缘防护 电源层和地层之间 的电场是变化的,在 PCB 板的会向外辐射电磁干扰,称为边缘效应。将电源层内缩,使得电场只在接地层的范围内传导, 以减少向外辐射。若电源平面的边缘到地平面的边缘内缩两个平面层间距的 20 倍以上, 可以有效降低向外辐射,即 20H 法则。如图 11 所示。 ?[详细]


2022-06川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考(二)

VCC?去耦电容 芯片内置的微型变压器的频率高达约 70MHz,短时间内如此大频率的切换,将引起较大的 dv/dt 及di/dt,将产生一定的电磁辐射。 微型变压器的原副边电流路径的环路面积影响着辐射干扰的强弱,电流环路越大,辐射越强。 PCB 布线时需要最大程度地缩小电流路径的环路面积。 输入 V[详细]


2022-06集成隔离电源的隔离式RS-485/RS-422收发器

CA-IS3092W是集成隔离电源的隔离式RS-485/RS-422收发器,隔离电源的输出VISO有5V和3.3V两种选项,通过SEL管脚选择,可提供最大负载100mA。芯片内置微变压器,由于变压器尺寸和功率的限制,通过微型变压器的开关频率相对较高,到约70MHz。短时间内大电流的切换会产生电磁辐射,引起较大的di[详细]


2022-06全系列集成隔离电源的隔离器芯片

这是国内首款集成隔离电源的隔离器芯片系列,能够在一颗芯片里同时完成信号隔离+电源隔离+RS-485/CAN信号收发;具备SOP16-W, POD=10.3mm x 7.5mm x 2.5mm的小尺寸封装,完全突破行业现有局限;全集成微型片上变压器、高达53%的转换效率、高隔离耐压5kVRMS 。 该系列芯片通过内部集成变压器[详细]


2022-06集成隔离电源的隔离器芯片(CA-IS306X、CA-IS309X、CA-IS36XX)

川土微电子成立于2016年,经过5年的发展,已经在隔离、接口、射频等高端模拟芯片领域成为国内知名供应商,公司秉承“志存高远、持续创新、完美极致、诚实守信”的价值观,致力于为全世界的客户提供高品质的模拟芯片。 集成隔离电源的隔离器芯片系列,作为川土微电子2020年的重磅新品,具有[详细]


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