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作为第三代半导体材料的代表，SiC具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性，目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。供给侧：受衬底良率及产能影响，在2025年之前供给整体偏紧从产业链来看，碳化硅行业主要可分为衬底、外延和器件三个重点环节。其中，衬底在产业链中价值量占比最[详细]
日前，日本半导体大厂罗姆宣布，与Solar Frontier达成基本协议，收购该公司原国富工厂（日本）资产。收购计划将在2023年10月进行，目的在于扩大SiC功率器件生产，此后国富工厂将成为罗姆主要生产基地之一。根据罗姆披露，收购资产总计占地面积达40万平方米，包括工厂和办公区域，将主要用于碳化硅产能扩张。不过[详细]
研究机构TECHCET日前预测，尽管全球经济普遍放缓，但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。根据TECHCET数据显示，2022年，SiC N型衬底市场比2021年增长了约15%，出货量达到总计88.4万片（等效6英寸），预计该市场将在2023年进一步增长，达到107.2万片晶圆（等效6英寸），比2022年进一步增长约22%，2022-2027年的整[详细]
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