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2025-12IGBT基础知识:器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件,融合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点,兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛,但在这些新技术兴起前,IGBT已凭借高效、高可靠性的优势,成为许多高功率应用的理[详细]


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