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双栅MOS场效应管（Double-gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称DG-MOSFET）是一种拥有两个栅极的MOSFET器件。它结构上的改进使其具有独特的工作原理和特点。工作原理：双栅MOS场效应管的工作原理类似于传统单栅MOSFET，但其拥有两个栅极（前栅极和后栅极），使其具有更好的电流控制能[详细]
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