损耗_颖特新科技

最热知识

2025-12IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理[详细]

2022-07Diodes Incorporated 推出完整的 PCIe 5.0 产品组合，将增加走线长度、将损耗程度降至最低及改善抖动性能

Diodes Incorporated推出最新的 ReDriver、切换器、频率缓冲器和频率产生器等装置Diodes 公司(Diodes) (纳斯达克股票代号：DIOD)宣布推出支持全新 PCI Express? (PCIe?) 5.0 协议的多样产品组合。这包括用于携带式和桌面计算机运算、数据中心和高效能运算 (HPC) 产品应用项目的 ReDriver?、切换器、时[详细]

2022-06ROHM低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL_RFS系列”

ROHM低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL_RFS系列”有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献颖特新科技讯：全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及[详细]

2020-10MOS管开关频率最高多少如何测算及MOS开关管的损耗计算

MOS管开关频率最高多少如何测算及MOS开关管的损耗计算 MOS管开关电路 MOS管开关频率最高多少如何测算详解，先来看看MOS管开关电路。下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图： D1作用：续流二极管 R1作用：1、限流电阻，减小瞬间电流值：MOS管属于压控型器件，两两引脚之间存在寄生电容[详细]

2020-10MOS管知识-MOS管开关损耗和导通损耗分析

MOS管知识-MOS管开关损耗和导通损耗分析人们对开关电源的要求越来越高，要求开关电源的体积越来越小，这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高，降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高，每秒钟开关管改变状态的次数就越多，开关损耗也就越大。这次就来弄清楚在每次开关转换过程中所发生事[详细]

2020-10MOS管开关管损耗计算方法公式及解释

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2018-02薄膜电容器损耗频率特性

薄膜电容器逐批检验的主要技术指标有：电容量、损耗（损耗角正切值）、绝缘电阻、耐电压、可焊性、外观等，在这些指标中电容器的损耗是一个重要的指标，它直接影响薄膜电容器的产品质量、合格率，影响企业的经济效益。薄膜电容器的损耗不是一个固定的数值，它随测试频率不同而不同，本文就[详细]

2018-02CL电容和CBB电容损耗与温度区别

相信大家对CBB电容和CL电容的区别非常的熟悉了，特别是电源高手来说已经是倒背如流了，对新手来说就容易混淆。那么小编为大家总结了一个这两者的区别，特别是损耗和温度系数上的区别，以便大家更清楚的选择。塑料薄膜电容器是近一、二十年发展起来的电容器,现已成为主流产品(淘汰了以往的[详细]

2018-02电容器中损耗因数含义是什么

电容器是比较复杂的元器件，所以外行人购买的电容经常会被不正规厂家偷工减料。颖特新电子为了让大家留点心眼，前面资讯有科普许多过许多电容的基本常识，今天小编就再深入介绍下电容器中的损耗因数。电容器中的等效串联电阻，等效串联电感，泄漏电阻这三个指标是很分离但又很难区分。所以[详细]

2018-02电容器能量损耗说明

电容器能量的损耗分为介质损耗和金属损耗两部分。介质损耗包括介质的漏电流所引起的电导损耗以及介质极化引起的极化损耗等。金属损耗包括金属极板和引线端的接触电阻引起的损耗。由于各种金属材料的电阻率不同，金属损耗随频率和温度增高而增大的程度也不同。电容器在高频电路中工作时，金[详细]

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