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新闻要点最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗与安森美 (onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳[详细]
SiC 具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性，目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。最近，芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内碳化硅IDM的新锐企业杰平方半导体副总经理黄宏留，探讨在碳化硅爆发式发展的大背景下，杰平方半导体实现快速增长的突破之道。专注高壁垒市场，[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量[详细]
碳化硅MOSFET有哪些优势？ （一）开关损耗 碳化硅MOSFET有哪些优势，下图1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平台下进行开关损耗的对比测试结果。母线电压800V, 驱动电阻RG=2.2Ω，驱动电压为15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二极管 IDH20G120C5作为续流二极管。[详细]
碳化硅mosfet 本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别硅IGBT与[详细]
目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近开发的碳化硅MOSFET元件，为这个领域另外开闢出全新的可能性。主要的技术关键推手和应用限制 以反相器为基础的传动应用，最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂，都是以欧姆电感性负载（马达）上的硬开关换[详细]
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