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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装[详细]
瑶芯微650V 1.4欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI。特点：•低FOM RDS（ON）×QG•更好的EMI•100%UIS测试•符合RoHS（注1）•无卤素（注1）应用程序：•高频开关•快速充电和适配器关键性能参数：aks65n14km数据表：最大额定[详细]
瑶芯微600V 30欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI特点： 低FOM RDS（ON）x QG 更好的EMI 100%UIS测试 符合RoHS（注1） 无卤素（注1）应用程序： 开关电源（SMPS） 不间断电源（UPS） 功率因数校正[详细]
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