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2023-05谏早电子开发IGBT

谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。产品内置栅极/发射极总布线长度调整电路, 对应1200V/1700V, ~800A的薄型Duel配置IGBT模块组, 使用简单高效的TLAC连接方式。令IGBT可轻松实现并联。薄型Duel配置IGBT模块 + VLB520现时使用于产业设备上的2in1类型中容量级别模块中,主[详细]


2023-03大联大世平集团推出基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案

致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。图示1-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的展示板图工业用电在全社会电力消耗中占有很大比重,因此在节能减排的大背[详细]


2022-09英飞凌推出高压侧栅极驱动器EiceDRIVER 2ED2410-EM,为先进汽车配电系统提供新的线路保护功能

目前,先进的智能汽车普遍搭载了高级驾驶辅助系统(ADAS)。ADAS应用是实现汽车主动安全的关键,必须具备高可用性。相比之下,自动驾驶技术的落地则更具挑战性,因为自动驾驶功能要求在发生故障时亦由车辆自身完成应急操作。这给汽车配电系统提出了更高要求,要求引入安全元件,以确保系统在100微秒内快[详细]


2022-07超强驱动能力,具备完善的保护功能!纳芯微发布全新驱动器NSi66x1A/NSi6601M

纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布,均适用于驱动SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具车规(满足AEC-Q100标准)和工规两种等级,广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。NSi66x1A--带保护功能的智能隔离单管驱动(NSI6611A/NSI6651A)产品特性超强驱动能力,可以提供最[详细]


2022-07英飞凌推出高度集成的MOTIX™电机控制器和三相栅极驱动器

为了帮助设计师满足终端市场的需求,英飞凌推出了完全可编程的电机控制器MOTIX™ IMD700A和IMD701A。它们采用9 x 9 mm2 64引脚VQFN封装,能够让无线电动工具、园艺用品、无人机、电动自行车以及自动导引车拥有更高的集成度以及功率密度,从而满足用户需求。MOTIX™ IMD700A和IMD701AMOTIX IMD70xA系列[详细]


2022-06ST意法半导体双通道栅极驱动器优化SiC和IGBT开关电路

意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术,采用SO-36W 宽体封装,能够耐受6kV瞬变电压。此外,±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工[详细]


2022-06意法半导体低压专用栅极驱动器IC

意法半导体推出一款75V以下低压工业应用高集成度三相半桥驱动器IC,这是一个节省空间、节能高效的电机控制解决方案,适用于控制电动自行车、电动工具、泵、风扇、轻型机械、游戏机和其他设备内的三相无刷电机。STDRIVE101内置三个用于驱动外部N沟道MOSFET的半桥驱动器,每个驱动器的最大拉电流和灌电流都是600m[详细]


2019-07意法半导体推出 600V三相智能关断栅极驱动器,提高工业应用性能和安全性

中国,2019年7月17日——意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管,稳健性居目前业内最先进水平,可耐受低至-100V的负尖峰电压,逻辑输入响应速度在85ns以内,处于同级产品一流水平。STDRIVE601内置智能关断电路,可提高保护功能的启动速度,在检测到过载或短路后,立即关闭[详细]


2019-01意法半导体的4A双通道栅极驱动器集成电隔离和保护功能

中国,2018年11月15日- STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品,集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道,可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。STGAP2DM内部额定隔离电压高达1700V,有助于增强安全性,简化系统设计,节省物料清单成本和电路板空间。两个26V轨到轨输出具[详细]


2019-01ST推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器,为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护

- 有源米勒钳位选配,提升高速开关抗干扰能力 中国,2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体[详细]


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