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一、QM4015SP 沟道 40V 快速开关 MOSFET特征先进的高细胞密度 Trench 技术。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 衰减效果。100% EAS 保证。绿色设备可用。应用用于 MB/NB/UMPC/VGA 的高频负载点同步降压转换器。联网 DC-DC 电源系统。负载开关。描述QM4015S 是最高性能的沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为[详细]
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