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3 月 14 日消息，IT之家从西安邮电大学官网获悉，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在 8 英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐[详细]
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