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全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
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