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2021-12【技术干货】电容式触控按键基本原理和感应方法

NuMicro ML56电容式触控按键基本原理和感应方法介绍电容式触控按键基本原理在没有手指触摸的传感器的电容称为“寄生电容”CP 。寄生电容是由传感器 (包括传感器,走线和过孔) 与系统中其他导体 (例如接地层,走线,产品机构或外壳中的任何金属等) 之间的电场所产生的。传感器和手指之间的电容为 CF,传感器的总[详细]


2018-05新唐M0564 系列单片机选型指南

NuMicro® M0564系列为32位元单片机,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到5.5V,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计;PWM运行速度最高可达到144 MHz,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外[详细]


2018-05新唐M0564VG4AE单片机(含参数与中文资料)

M0564VG4AE 为32位元单片机,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到5.5V,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计;PWM运行速度最高可达到144 MHz,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564VG4A[详细]


2018-05新唐M0564SG4AE单片机(含参数与中文资料)

M0564SG4AE 为32位元单片机,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到5.5V,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计;PWM运行速度最高可达到144 MHz,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564SG4A[详细]


2018-05新唐M0564SE4AE单片机(含参数与中文资料)

M0564SE4AE 为32位元单片机,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到5.5V,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计;PWM运行速度最高可达到144 MHz,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564SE4A[详细]


2018-05新唐M0564LG4AE单片机(含参数与中文资料)

M0564LG4AE 系列为32位元单片机,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到5.5V,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计;PWM运行速度最高可达到144 MHz,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564[详细]


2018-05新唐M0564LE4AE单片机(含参数与中文资料)

M0564LE4AE 为32位元单片机,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到5.5V,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计;PWM运行速度最高可达到144 MHz,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564LE4A[详细]


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