你好!欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 内容聚合 >> MOS管基础知识
内容列表

2020-08器件发热导致的MOS管损坏之谜及MOS管发热如何解决

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。 MOS管作为半导体领域最基础的器件之一,无论是在 IC 设计里,还是板级电路应用上,都十分广泛,尤其在大功[详细]


2020-08MOS管知识-MOS管参数(极限参数与静态参数)及作用解析

MOS管知识-MOS管参数(极限参数与静态参数)及作用解析本文主要分析MOS管参数,讲=MOS管即金属氧化物半导体场应管,是电路设计中常用的功率开关器件,为压控器件;MOS管有三个电极: 栅极G: MOS管的控制端,全名为:GATE,在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。对于NMOS管而言,要求Vgs>0时,MOS管导通,[详细]


共 2 条记录 1/1 页 上一页 1下一页
联系方式

0755-82591179

邮箱:ivy@yingtexin.net

地址:深圳市南山区桃源街道平山社区平山一路2号南山云谷创业园二期11栋410-411

Copyright © 2014-2026 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved.  粤ICP备14043402号-4