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IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的器件，主要用于实现电压、频率、直流交流转换等功能，被称为电力电子装置的“CPU”。但IGBT相比于 MOSFET 制造难度更高、结构更复杂，可承受的电压也更大。一般 MOSFET 器件或模组的可承受20-800V，而 IGBT 可承受100[详细]
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