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最热知识

2023-09n沟道mos场效应管主要依靠什么导电

n沟道mos场效应管（NMOS）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中得到广泛应用。NMOS的导电主要依靠电子，在学习和理解该器件的工作原理和应用时，理解NMOS主要依靠电子导电的原理至关重要。NMOS的结构和工作原理NMOS由P型衬底上的N型沟道、P型掺杂的漏极和源极组成，其基本工作原理是通过在沟道和衬底上加上[详细]

2023-08东芝推出n沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]

2023-06东芝推出n沟道功率MOSFET，有助提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。通过对栅极设计[详细]

2022-06豪威集团发布业内最低内阻双n沟道MOSFET

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消[详细]

2020-08基本的MOS管n沟道和p沟道图片详解

n沟道和p沟道图片详解，mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是[详细]

2017-12TI推出NexFET n沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻

日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET? 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET? CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞[详细]

2017-09n沟道结型开关场效应管的主要特性参数

N 沟道结型开关场效应管的主要特性参数。 [详细]

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