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2020-08基本的MOS管n沟道和p沟道图片详解

n沟道和p沟道图片详解，mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是[详细]

2017-12Vishay p沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2[详细]

2017-09p沟道结型场效应管的主要特性参数。

P沟道结型场效应管的主要特性参数。 [详细]

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