你好!欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 存储闪存 >> IHS:内存带衰,全球半导体 2016 年恐萎缩 2.9%

IHS:内存带衰,全球半导体 2016 年恐萎缩 2.9%

作者:admin 来源:不详 发布时间:2017-12-13  浏览:2

据市调机构IHS预测,今年全球半导体出货金额将较2015年的3,473亿美元缩水2.9%,其中DRAM预估将衰退9%,主要原因是DRAM报价下滑以及PC市场萎缩,拖累整体芯片需求。

IHS指出,内存今年前三季都将以一成左右的速度衰退,依序是第一季年减11.3%、第二季年减11.7%、第三季年减9.7%,直到第四季幅度才会收敛至2.8%。(韩国经济日报)

IHS指出DRAM目前深陷下降漩涡,如4GB DDR3 2015年4月报价最高还有3.7美元,今年则跌到只剩1.4美元。32GB NAND快闪内存同期间也从1.98美元摔至1.5美元。

在微处理器等非内存领域方面,IHS预估全年将下滑1.6%,主因终端智能手机与TV产业对芯片的需求萎缩。若按每季区分,非内存芯片第一季预估将年减1.2%、第二季年增0.3%、第三季年增0.1%、第四季年减2.6%。

展望来年,IHS认为内存市况仍不乐观,当前萎缩态势可能延续,行情也很难回到2015年水平。产业观察家更指出,内存制造技术日益精进,若产品找不到新出路,价格恐将持续走跌。



编辑:admin  最后修改时间:2017-12-13

相关文章

    热销产品

    联系方式

    0755-82591179

    传真:0755-82591176

    邮箱:vicky@yingtexin.net

    地址:深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08

    Copyright © 2014-2023 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved.  粤ICP备14043402号-4