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SAMSUNG量产3D Vertical NAND FLASH

作者：来源: 发布时间：2020-06-02 浏览：186

关键字：业界技术领先的韩国三星公司宣布，该公司已经成功研发并量首新型NAND闪存--3D Vertical NAND flash。三星公司表示新型NAND闪存将能够大幅提升存储容量的同时，产品的可靠性、扩展性以及性也将会获得很大的提升。新产品为3D Vertical NAND闪存，可用于消费类或者企业级嵌入式存储应用以及SSD硬盘产品。通过3D Charge Trap Flash (CTF)技术以及vertical interconnect技术的应用，三星公司能够实现单芯片容量128Gb。对此三星公司将这项技术形容为“重新设计了CTF架构。” 三星公司表示，V-NAND闪存在产品可靠性上将可获得2-10倍的提升，写入性能将会倍增，同时这项技术能够支持最多24层产品设计。