EPC和uPI Semiconductor将使用uP1966提供GaN解决方案
EPC和uPI Semiconductor合作向市场提供uP1966 GaN半桥驱动器。
uP1966E是一个85 V双通道栅极驱动器，设计用于驱动半桥和全桥拓扑中的高侧和低侧eGaN®FETS。该驱动器集成了内部自举电源和UVLO，尺寸为1.6 mm x 1.6 mm WLCSP。
uP1966E可与EPC eGaN FET一起用于桥式拓扑，包括DC-DC降压和升压转换器、LLC DC-DC转换器、降压-升压转换器或用于电池充电的双向转换器。
uP1966E额定电压为85 V，适合与EPC 80 V和100 V FET以及集成半桥配对。
uP1966E驱动程序在包括DC-DC降压转换器在内的许多EPC评估板上均有体现；EPC9143、EPC9153、DC-DC LLC转换器EPC9149以及大多数通用的80V和100V半桥评估板，其中EPC9097和EPC90123是最受欢迎的。
将u1966E与EPC GaN晶体管配对提供了一个非常经济高效的驱动器，降低了总解决方案成本，并加快了基于GaN的设计的上市时间。
关于EPC EPC是基于增强型氮化镓（eGaN®）的电源管理领域的领导者。eGaN FET和集成电路在DC-DC转换器、遥感技术（激光雷达）、移动电机驱动器、机器人和无人机以及低成本卫星等应用中提供的性能比最佳硅功率MOSFET高很多倍。
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编辑：zqy 最后修改时间：2022-12-21
