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逃离 DRAM 杀价战,传三星率先量产 18nm

作者:admin 来源:不详 发布时间:2017-09-05  浏览:7

全球内存霸主三星电子拉大与对手差距,据传已经抢先业界开始生产 18纳米(nm)DRAM,美光远远落后,技术差距扩大到两年以上。三星技术领先将可维持获利,不用担心 DRAM 价格滑落侵蚀利润。

韩媒 etnews、韩国时报报导,业界人士透露,三星韩国华城工厂生产的 18 纳米 DRAM,已经开始出货,将供货给苹果。消息人士说,两年前三星率先量产 20 纳米 DRAM,如今三星再次领先业界,第一个商用化 18 纳米 DRAM。据了解,18 纳米 DRAM 初期产量不大,三星已经增订设备,预计夏天过后产量将会增加。早期供货主要用于 PC,之后将生产服务器和移动设备用的 DRAM。

报导称,三星量产 18 纳米 DRAM,生产成本的竞争优势拉大,就算 DRAM 价格继续下滑,其他业者陷入亏损,三星仍能维持获利。据称内存第二 SK 海力士已经量产 20 纳米,但是 18 纳米 DRAM 仍在研发阶段,要到明年初才能商用化。内存第三美光(Micron)转进 20 纳米踢到铁板,至今未能量产 20 纳米 DRAM。

Daishin Securities 研究员 Kim Kyung-min 说,由结果看来,韩厂和美光科技落差极大。美光 DRAM 技术落后三星两年以上,恐需忧虑是否会立刻出现亏损。

编辑:admin  最后修改时间:2017-09-05

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