陶瓷电容器和高频瓷介电容器的区别
陶瓷电容器和高频瓷介电容器看似是比较相似的两种电容器，实际上并非如此，其实陶瓷电容器和高频瓷介电容器是有区别的，下面颖特新网的专家来给大家介绍一下陶瓷电容器和高频瓷介电容器的区别。
陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器
适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。
频率特性好，Q值高，温度系数小;不能做成大的容量;广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器。
高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构。
性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008。
以上就是陶瓷电容器和高频瓷介电容器的区别了，更多细节方面的对比继续关注颖特新网。
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编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
