2016 年全球闪存高峰会，中国厂商能见度快速攀升
闪存产业的指标性展会──2016年全球闪存高峰会（2016 Flash MemorySummit）甫落幕，TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，大会连续两年设置中国专场，并由华澜微电子总裁骆建军博士担任论坛主持人，显示出中国市场已成国际关注焦点，中国闪存厂商的发言权与能见度正快速攀升。
由于移动设备需求的快速增长及服务器、数据中心的大量建置，中国市场NANDFlash消耗量呈爆发式成长。DRAMeXchange预估2017年中国市场所消耗的NAND Flash量将占全球30%以上，2020年将占全球逾40%，成为中国大力进军NAND Flash产业，积极建立上中下游完整供应链的主要原因。
杨文得分析，3D-NANDFlash最晚将于2018年超越整体NAND Flash市场的一半，进一步推升固态硬盘储存应用的容量与市场规模，至2020年整体NAND Flash需求将维持每年40%的高成长率，中国巨大的市场发展潜力势必带动众多NANDFlash厂商投入，未来中国厂商的布局更加火热。
本届快闪高峰会中国厂商的动态可从内存制造、主控芯片与应用市场两大面向看出其强大的发展企图：
内存制造端：武汉新芯为目前中国NANDFlash制造端厂商中最具规模者，与国际大厂飞索半导体（Spansion）合作发展3D-NAND Flash，预计2018上半年量产第一世代的3D-NAND产品。今年7月武汉新芯正式与紫光集团成立长江存储科技公司，将有效整合中国在NANDFlash制造端发展能量。杨文得表示，为拉近与国际内存大厂的距离，中国产学界代表也联合展示闪存FTL技术及复旦大学的RRAM商业化尝试，可见中国在闪存布局有长远规画。
主控芯片与应用市场：中国主控芯片厂如华澜微、忆恒创源与华为等一线大厂皆参与盛会，看准固态硬盘未来5年快速成长的商机，各厂正强化在固态硬盘整体存储设备及PCIe高速接口的研发能量。此外，为实现建立自主产业链的目标，华澜微与华为等厂商也展示自主开发的IP与基础性结构研究。杨文得进一步表示，近年来中国主控芯片业者以自主开发或并购等方式获取关键IP技术的进展速度加快，预期两年内将有更多NANDFlash主控芯片厂跨国合作与购并。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
