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NOR FLASH的结构和特性

NOR FLASH 华邦 作者: 来源: 发布时间:2019-09-07 09:35:07   浏览:72

NOR FLASH的结构原理图图1,可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的,当某个Word Line被选中后,就可以实现对该Word的读取,也就是可以实现位读取(即Random Access),且具有较高的读取速率,图2是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图,图3是沿Bit Line切面的剖面图,展示了NOR FLASH的硅切面示意图,这种并联结构决定了NOR FLASH的很多特性。

图1

(图一)

图二

(图二)

(1)基本存储单元的并联结构决定了金属导线占用很大的面积,因此NORFLASH的存储密度较低,无法适用于需要大容量存储的应用场合,即适用于code-storage,不适用于data-storage,见图3

(2)基本存储单元的并联结构决定了NOR FLASH具有存储单元可独立寻址且读取效率高的特性,因此适用于code-storage,且程序可以直接在NOR 中运行(即具有RAM的特性)。

(3)NOR FLASH写入采用了热电子注入方式,效率较低,因此NOR写入速率较低,不适用于频繁擦除/写入场合。

图三

(图三)

最后来个小贴士:NOR  FLASH的中的N是NOT,含义是Floating Gate中有电荷时,读出‘0’,无电荷时读出‘1’,是一种‘非’的逻辑;OR的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是并联的,是一种‘或’的逻辑,这就是NOR 的由来。 

编辑:simon  最后修改时间:2019-09-17