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2019-06新唐MCU：MS51TC0AE QFN33 小体积高性能MCU

MS51TC0AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 30 个通用 I / O、定时器、看门狗定时器[详细]

2019-06新唐科技：MS51PC0AE 8051单片机

MS51PC0AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 30 个通用 I / O、定时器、看门狗定时器[详细]

2019-06新唐MS51FC0AE 8051单片机 pin to pin 003系列，容量升级

MS51FC0AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 18 个通用 I / O、定时器、看门狗定时器[详细]

2019-06MS51FB9AE工业级单片机 pin to pin管脚兼容STM8S003F3P6

MS51FB9AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 18 个通用 I / O、定时器、看门狗定时器[详细]

2019-06新唐MS51EC0AE-TSSOP28 8051单片机

MS51EC0AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 26 个通用 I / O、定时器、看门狗定时器[详细]

2019-06新唐MS51DA9AE 8051单片机

MS51DA9AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且包含 8 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 12 个通用 I / O、定时器、看门狗定时器、[详细]

2019-06新唐代理商：MS51BA9AE工业级单片机

MS51BA9AE管脚虽少，却具极高的性价比，高达24M的主频，多达8个IO口，有效的节省产品的成本，颖特新的专业服务，提升你的开发速度。MS51BA9AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器（1 T 工作模式），工作频率最高至 24 MHz，支持电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V，工业级工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃，并且[详细]

2019-06新唐工业级8051单片机MS51系列产品特性介绍

新唐MS51系列是芯唐科技在2019年推出的新品，也是重点推广的新品，与低管脚的N76E003AT20与N76E003AQ有管脚兼容的产品，多种Flash空间与管脚数可选，将继续N76E003的传奇，2020年，32KB，QFN33与LQFP32系列产品得到客户的广泛认同，成为热销产品。NuMicro® MS51 系列为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控[详细]

2019-06NOR FLASH：大容量存储芯片的原理及应用解析

1引言NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片内执行。这点和NAND FLASH 不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLAS H 很适合作为启动程序的存储介质。NOR FLAS H 的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLAS H 的写操作需要遵[详细]

2019-05Winbond NAND Flash 芯片测试流程

本文主要介绍如何对Nand Flash进行测试，适用与华邦品牌，也适用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、[详细]

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