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2019-02新唐OLED随身碟解决方案- 实时显示硬盘数据

方案介绍emWin 是一套专门用于图像化用户接口 (GUI) 设计的软件库，常用于人机接口的显示规划上，能快速且简单地设计出高质量的显示接口。此方案透过 NuMicro M480 系列单片机高达 192 MHz 的强大运算能力，搭配2吋 OLED 屏幕，流畅播放含 GIF 影像的显示接口。方案架构图相关IC● M480关于Nuvoton&颖特新颖[详细]

2019-02新唐 PM2.5 雷射检测模块解决方案

方案介绍采用 NuMicro M031 单片机（2019年明星产品），支援 2 MSPS ADC ，可透過高性能激光感测，精准快速获得 PM2.5 定性及定量数值。广泛应用于空气净化器、汽车空气净化器、空调、新风设备、空气质量监测、环境监测與手持空气质量检测设备等。方案架构图相关IC● M031系列（M031EB0AE、M031EC1AE、M031FB0A[详细]

ML51XB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51XB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51UC0AE低功耗8051单片机

ML51UC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]

2019-01新唐ML51UB9AE低功耗8051单片机

ML51UB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51TC0AE低功耗8051单片机

ML51TC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]

2019-01新唐ML51TB9AE低功耗8051单片机

ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51PC0AE低功耗8051单片机

ML51PC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]

2019-01新唐ML51PB9AE低功耗8051单片机

ML51PB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51OB9AE低功耗8051单片机

ML51OB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51OB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

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