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2019-01新唐ML51TB9AE低功耗8051单片机

ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51PC0AE低功耗8051单片机

ML51PC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]

2019-01新唐ML51PB9AE低功耗8051单片机

ML51PB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51OB9AE低功耗8051单片机

ML51OB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51OB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51FB9AE低功耗8051单片机

2019-01新唐ML51EC0AE低功耗8051单片机

ML51EC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51EC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]

2019-01新唐ML51EB9AE低功耗8051单片机

ML51UB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51DB9AE低功耗8051单片机

ML51DB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51DB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01新唐ML51BB9AE低功耗8051单片机

ML51BB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51BB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]

2019-01意法半导体智能天线控制器节省电路板空间、降低物料成本和电池负载，让智能手机实现卓越性能

中国，2019年1月18日 - 意法半导体的STHVDAC-253C7数字电容控制器用于控制可调电容，例如，意法半导体的STPTIC系列可调电容，这款产品的优点是可以缩小天线调谐电路的尺寸、降低物料清单(BoM)成本和功耗，稳定智能手机的射频性能。将STHVDAC-253C7控制器和STPTIC电容用于阻抗匹配和频率调谐[详细]

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