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2020-06武汉新芯50nm代码型闪存芯片量产，逼近物理极限

据武汉新芯集成电路制造有限公司消息，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已于近日全线量产。目前，在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。据了解，武汉新芯50[详细]

2020-06EM260 ZigBee主芯片 现货供应

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