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意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-03-17  浏览:1

合作协议拓宽意法半导体可服务射频功率市场

- 经过验证的成熟技术非常适用于无线基础设施;工业、科学和医疗;航天和雷达;非蜂窝射频等应用。

中国,2018年2月26日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)今天宣布与远创达科技公司签署一份LDMOS[1]射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司,专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。

导电通道短且击穿电压高使LDMOS器件适用于无线通信系统基站射频功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。

协议内容保密,不对外披露。

编辑:admin  最后修改时间:2018-03-19

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