东芝NAND闪存：TC58BYG2S0HBAI4
TC58BYG2S0HBAI4
TC58BYG2S0HBAI4是一个1.8V4Gbit(4,429,185,024位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或2048块。
TC58BYG2S0HBAI4 是一个串行类型的存储器设备，它利用 I/O引脚进行地址和数据输入/ 输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、用于静态照相机的图像文件存储器其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TC58BYG2S0HBAI4 具有 ECC 逻辑，每 528 字节的 8 位读取错误可以在内部校正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
