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MOSFET知识-详解MOSFET栅极前100Ω电阻有什么用 年轻的应用工程师 Neubean 想通过实验证明，为了获得稳定性，是不是真的必须把一个 100 Ω 的电阻放在 MOSFET 栅极前。MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”[详细]
MOS管 100A 30V参数详情 优质品牌 技术支持 免费送样 MOS管 100A 30V产品特性 RDS(on)=3.2mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术 极低通阻RDS(on) 符合JEDEC标准 MOS管 100A 30V产品应用领域 电机控制与驱动 电池管理 UPS 其他 MOS管 100A 30V产品参数详情 MOS管 100A 30V产品封装图 MOS管 100A 30V规格[详细]
MOS管 KNX3108A 110A/80V产品参数 MOS管 KNX3108A 110A/80V产品封装 MOS管 KNX3108A 110A/80V产品规格书查看及下载规格书，请点击下图 MOS管 KNX3108A 110A/80V产品公司简介深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产[详细]
MOS管 -35A/-100V 8610A产品简介 KPD8610A采用先进的沟道MOSFET技术，提供优良的开关器件和栅极。KPD8610A符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证。 MOS管 -35A/-100V 8610A产品特点RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V 100% EAS保证 绿色设备 超低栅电荷 先进的高密度沟槽技术 MOS管 -35A/-100V 8610A产品封装 MOS管 -35[详细]
MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品特征VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@VGS=10V,ID=3.0A VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.11Ω@VGS=4.5V,ID=2.0AMOS管 KIA2310 3.0A/60V产品封装 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品参数详情 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品规格书查看及下载规格书，请点击下图。 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品公司简介深圳[详细]
功率MOSFET功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。今天本文主要是剖析功率MOSFET，将从十几个方面进行总结与解析。[详细]
MOS管 3203 100A/30V原厂介绍 深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。 KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴[详细]
MOS管 2404 190A/40V原装正品 品质优良 参数等详情 MOS管 2404 190A/40V产品特点 RDS(on)(TYP)=2.2mΩ@VGS=10V 超高密度电池设计 超低导通电阻 100%雪崩测试 无铅环保器件(符合RoHS标准) MOS管 2404 190A/40V产品参数详情 MOS管 2404 190A/40V产品封装图[详细]
10A mos管型号表 也可选贝岭系列产品Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 KNX6165B 10 650 0.75 0.9 1650 KNX6180A 10 800 1 1.15 2910 KNX4810A 9 100 0.14 0.16 950 KNX4820B 9 200 0.25 0.3 418 KIA6035A 11[详细]
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