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M031TD2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备64 KB Flash 和 8 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031TC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031TB0AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备16 KB Flash 和 2 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
ML51TC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列，其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度，25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]
标准51单片机是12T的，就是说12个时钟周期(晶振周期，例如12M的，周期是1/12M，单位秒)，机器做一个指令周期，刚好就是1/12M*12=1uS，常见指令例如_nop_就是一个周期，刚好1uS，其他的大多多于一个周期，乘除法更多。所以如果计算指令时间可以这样算。而现在很多51核的单片机工艺质量上去后，频率大大提高，增[详细]
在正在举办的Photokina 2016世界影像博览会上，SanDisk在会场展出了一款SD记忆卡，这款SDXC记忆卡的容量达到了惊人的1TB容量，为目前全球容量最大的SD记忆卡。 SanDisk表示，这款记忆卡目前还是在Prototype阶段，也还没有在现场公布真正量产的时间表以及预估的售价。但是1TB容量的技术依然是记忆卡[详细]
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